von
Die Machbarkeit der sogenannten SiC-Prozessierung auf 300-Millimeter-Wafern lege das Fundament für die langfristige Versorgung von Kunden in Industrie, Automobil und KI-Rechenzentren, hieß es vom Konzern, der seine Innovationskraft unterstrichen sieht. Genutzt wurden vorhandene Fertigungsanlagen für Silizium (Si). Die Chipproduktion auf 300-Millimeter-Wafern sei technologisch fortschrittlicher und deutlich effizienter als auf 200-Millimeter-Wafern, da der größere Durchmesser 2,3-mal mehr Chips pro Wafer ermöglicht.
"Führend im Bereich Leistungshalbleiter zu sein, bedeutet, Technologie kontinuierlich auf die nächste Stufe zu heben", sagt Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender der Infineon Technologies mit Sitz in München. Sabine Herlitschka, Vorstandsvorsitzende der Infineon Technologies Austria, konstatierte dem Werk in Villach "besondere Innovationskraft", man setzte "international Maßstäbe". Sie forderte weiteren "Mut, Grenzen immer wieder neu zu verschieben", wofür man vorhandene Stärken ausbauen müsse.
Stärken will das Unternehmen auch mit Unterstützung der öffentlichen Hand ausbauen. Bis 2034 sollen in den Kärntner Standort 1,1 Mrd. Euro fließen. Die Republik Österreich unterstützt den Bau einer neuen Chipfertigung, die sich ebenso um die 300-Millimeter-Wafer dreht, mit 319 Mio. Euro. Die Förderung wurde durch die EU im Rahmen des EU-Chips-Acts bereits genehmigt.
Die Neuigkeit zeige jedenfalls, dass eine künftige Industrialisierung von SiC auf 300-Millimeter-Wafern im großen Maßstab möglich sei. SiC ist laut Infineon ein zentrales Halbleitermaterial für hocheffiziente Energiewandlung. Die Materialeigenschaften ermöglichten geringere Leistungsverluste, höhere Leistungsdichte und einen effizienten Betrieb bei hohen Spannungen und Temperaturen. Einsatzgebiete finden sich unter anderem von der Elektromobilität bis zur Künstlichen Intelligenz (KI).
Infineon teilte am Montag weiters mit, dass die Firma parallel am Standort im ostdeutschen Dresden die Machbarkeit einer weiteren Technologie für 300-Millimeter-SiC erfolgreich nachgewiesen habe. Ein sogenanntes Cold Split trenne Wafer von einem SiC-Kristall (Boule) mit geringerem Materialverlust und deutlich kürzerer Bearbeitungszeit ab als das herkömmliche Drahtsägen. So ließen sich aus demselben Kristall mehr Wafer bei geringeren Investitionsausgaben gewinnen.
ARCHIV - 12.11.2025, Bayern, Neubiberg: Ein Waver mit dem Infineon-Logo ist zu Beginn der Präsentation der Jahreszahlen 2025 des Halbleiterunternehmens in einer Vitrine zu sehen. (zu dpa: "Infineon eröffnet Fabrik in Thailand") Foto: Peter Kneffel/dpa +++ dpa-Bildfunk +++