Weltrekord für Silizium-Chips

Der Münchner Halbleiterhersteller Infineon hat einen neuen Geschwindigkeits-Weltrekord für Siliziumchips aufgestellt. Wie das Unternehmen bekanntgab, erreichten die Elektronikbausteine in der von Infineon entwickelten Silizium-Germanium-Bipolar-Technologie eine Betriebsfrequenz von 110 Gigahertz. Prozessoren in heute verfügbaren Notebooks arbeiten zum Vergleich damit mit 4 Gigahertz.

Bisher sind die hohen Frequenzen nur für Chips aus Galliumarsenid erreichbar gewesen. Silizium hat dagegen den Vorteil, deutlich preisgünstiger zu sein. Die Forscher des Münchner Chipherstellers verwendeten für ihre Rekord-Bauelemente Silizium, das mit Germanium-Atomen angereichert wurde. Die Infineon-eigene Silizium-Germanium-Bipolar-Technologie, mit denen die Chips realisiert wurden, hat bereits Schaltzeiten von 3,7 Picosekunden erreicht, eine Zeit, in der Licht sich nur einen Millimeter weit bewegt.

Den Einsatz für die neuen Schaltkreise sieht Infineon vor allem in der Kommunikationstechnik. Sie könnten etwa für Sender und Empfänger von Richtfunkstrecken oder für die WLAN-Kommunikation zwischen elektronischen Geräten und Computern genutzt werden. Anwendungsmöglichkeiten sieht der Konzern auch im Kfz-Bereich, etwa für Abstandswarnung oder Kollisionsvermeidung durch Radar. (pte/red)

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